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BZX85C100产品参数
型号:BZX85C100
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:EIC SEMICONDUCTOR CO LTD
包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.21
其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:350 Ω
JEDEC-95代码:DO-41
JESD-30 代码:O-PALF-W2
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:200 °C
最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1.3 W
标称参考电压:100 V
子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO
技术:ZENER
端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:5%
工作测试电流:2.7 mA
Base Number Matches:1
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