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| 型号: | CYDMX128B16-65BVXI |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, MO-195C, VFBGA-100 |
| 针数： | 100 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 5.79 |
| 最长访问时间： | 65 ns |
| 其他特性： | IT CAN OPERATE ALSO 2.5 AND 3.3 VOLT |
| I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | S-PBGA-B100 |
| JESD-609代码： | e1 |
| 长度： | 6 mm |
| 内存密度： | 131072 bit |
| 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 2 |
| 端子数量： | 100 |
| 字数： | 8192 words |
| 字数代码： | 8000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 8KX16 |
| 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | VFBGA |
| 封装等效代码： | BGA100,10X10,20 |
| 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 1.8/3 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1 mm |
| 最大待机电流： | 0.000006 A |
| 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.07 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 宽度： | 6 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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