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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 封装TO-220-3 
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  • 深圳市迈锐达科技有限公司

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  • 厂家ONS 
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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • C122F1G IC
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  • 羿芯诚只做原装长期供,支持实单
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  • 深圳市惠诺德电子有限公司

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  • 封装SCR 50V 8A TO220AB 
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  • 只做原装现货代理
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  • 深圳市宇川湘科技有限公司

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  • 厂家原厂 
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  • 批号23+ 
  • 原装正品现货,郑重承诺只做原装!
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  • 北京力通科信电子有限公司

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  • 全新原装现货,假一罚百,详细资料请致电010-82626036或qq:2355365902
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  • 深圳市华来深电子有限公司

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  • 一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 万三科技 秉承原装 实单可议
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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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产品型号C122F1的Datasheet PDF文件预览

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Reverse Blocking Triode Thyristors  
. . . designed primarily for full-wave ac control applications, such as motor controls,  
heating controls and power supplies; or wherever half-wave silicon gate-controlled,  
solid-state devices are needed.  
SCRs  
8 AMPERES RMS  
50 thru 800 VOLTS  
Glass Passivated Junctions and Center Gate Fire for Greater Parameter  
Uniformity and Stability  
Small, Rugged, Thermowatt Construction for Low Thermal Resistance, High Heat  
Dissipation and Durability  
Blocking Voltage to 800 Volts  
Different Leadform Configurations,  
Suffix (2) thru (6) available, see Leadform Options (Section 4) for Information  
G
A
K
CASE 221A-04  
(TO-220AB)  
STYLE 3  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
J
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
(1)  
Repetitive Peak Off-State Voltage (T = 25 to 100°C, Gate Open)  
V
DRM  
V
RRM  
Volts  
J
Repetitive Peak Reverse Voltage  
C122F1  
C122A1  
C122B1  
C122D1  
C122M1  
C122N1  
50  
100  
200  
400  
600  
800  
(1)  
Peak Non-repetitive Reverse Voltage  
V
RSM  
Volts  
C122F1  
C122A1  
C122B1  
C122D1  
C122M1  
C122N1  
75  
200  
300  
500  
700  
800  
Forward Current RMS  
(All Conduction Angles)  
T
C
75°C  
I
8
Amps  
Amps  
T(RMS)  
Peak Forward Surge Current  
(1/2 Cycle, Sine Wave, 60 Hz)  
I
90  
34  
TSM  
2
I t  
2
A s  
Circuit Fusing Considerations  
(t = 8.3 ms)  
1. V  
and V  
for all types can be applied on a continuous basis. Ratings apply for zero or negative gate voltage; however, (cont.)  
RRM  
DRM  
positive gate voltage shall not be applied concurrent with negative potential on the anode. Blocking voltages shall not be tested with a  
constant current source such that the voltage ratings of the devices are exceeded.  
36  
Motorola Thyristor Device Data  
MAXIMUM RATINGS — continued  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Watts  
Watt  
Amps  
°C  
Forward Peak Gate Power (t = 10 µs)  
Forward Average Gate Power  
Forward Peak Gate Current  
P
GM  
5
0.5  
P
G(AV)  
I
2
GM  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
T
J
–40 to +100  
–40 to +125  
T
stg  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Symbol  
Max  
Unit  
R
1.8  
°C/W  
θJC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
C
Characteristic  
Symbol  
I , I  
DRM RRM  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Peak Forward or Reverse Blocking Current  
(V  
AK  
= Rated V  
or V  
, Gate Open)  
RRM  
T
C
T
C
= 25°C  
= 100°C  
10  
0.5  
µA  
mA  
DRM  
(1)  
Peak On-State Voltage  
V
1.83  
Volts  
mA  
TM  
(I = 16 A Peak, T = 25°C)  
TM  
Gate Trigger Current (Continuous dc)  
(V = 6 V, R = 91 Ohms, T = 25°C)  
C
I
GT  
25  
40  
D
L
C
C
(V = 6 V, R = 45 Ohms, T = –40°C)  
D
L
Gate Trigger Voltage (Continuous dc)  
(V = 6 V, R = 91 Ohms, T = 25°C)  
V
Volts  
mA  
GT  
0.2  
1.5  
2
D
L
C
(V = 6 V, R = 45 Ohms, T = –40°C)  
D
D
L
C
(V = Rated V  
, R = 1000 Ohms, T = 100°C)  
DRM  
L
C
Holding Current  
I
H
(V = 24 Vdc, I = 0.5 A, 0.1 to 10 ms Pulse,  
D
T
Gate Trigger Source = 7 V, 20 Ohms)  
T
C
T
C
= 25°C  
= –40°C  
30  
60  
Turn-Off Time (V = Rated V  
)
t
q
50  
µs  
D
DRM  
(I  
TM  
= 8 A, I = 8 A)  
R
Critical Rate-of-Rise of Off-State Voltage  
(V = Rated V , Linear, T = 100°C)  
dv/dt  
50  
V/µs  
D
DRM  
C
1. Pulse Test: Pulse Width = 1 ms, Duty Cycle  
2%.  
FIGURE 1 – CURRENT DERATING (HALF-WAVE)  
FIGURE 2 – CURRENT DERATING (FULL-WAVE)  
100  
90  
CONDUCTION  
ANGLE  
CONDUCTION  
ANGLE  
100  
95  
0
360  
ONE CYCLE OF SUPPLY FREQUENCY  
90  
85  
80  
75  
80  
70  
60  
CONDUCTION  
ANGLE = 60  
120°  
180°  
240°  
360°  
DC  
°
180°  
120°  
90°  
60°  
CONDUCTION  
RESISTIVE OR  
INDUCTIVE LOAD.  
50 TO 400 Hz  
70  
65  
0
360  
ANGLE = 30  
°
CONDUCTION  
ANGLE  
60  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
1
2
3
4
5
6
7
8
I
, AVERAGE ON-STATE FORWARD CURRENT (AMPERES)  
I
, AVERAGE ON-STATE CURRENT (AMPERES)  
T(AV)  
T(AV)  
37  
Motorola Thyristor Device Data  
FIGURE 3 – MAXIMUM POWER DISSIPATION (HALF-WAVE) FIGURE 4 – MAXIMUM POWER DISSIPATION (FULL-WAVE)  
14  
12  
10  
8
360°  
240°  
RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD. 50 TO 400 Hz  
DC  
180°  
120°  
10  
8
CONDUCTION  
ANGLE = 60  
°
180°  
6
120°  
90°  
6
60°  
CONDUCTION  
ANGLE 30  
4
CONDUCTION  
ANGLE  
CONDUCTION  
ANGLE  
°
4
2
0
2
0
0
°
360  
°
ONE CYCLE OF SUPPLY FREQUENCY  
RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD. 50 TO 400 Hz  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
1
2
3
4
5
6
7
8
I
, AVERAGE ON-STATE CURRENT (AMPERES)  
I
, AVERAGE ON-STATE CURRENT (AMPERES)  
T(AV)  
T(AV)  
38  
Motorola Thyristor Device Data  
配单直通车
C122F1产品参数
型号:C122F1
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-220AB
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3
制造商包装代码:CASE 221A-07
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.07
外壳连接:ANODE
标称电路换相断开时间:50 µs
配置:SINGLE
最大直流栅极触发电流:25 mA
最大直流栅极触发电压:1.5 V
最大维持电流:30 mA
JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0
最大漏电流:0.5 mA
通态非重复峰值电流:90 A
元件数量:1
端子数量:3
最大通态电流:8000 A
最高工作温度:100 °C
最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):240
认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:8 A
断态重复峰值电压:50 V
重复峰值反向电压:50 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30
触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1
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