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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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配单直通车
CAT25128VI-GT3产品参数
型号:CAT25128VI-GT3
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:Active
零件包装代码:SOIC
包装说明:0.150 INCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8
针数:8
制造商包装代码:751BD
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:0.8
其他特性:100 YEAR DATA RETENTION
最大时钟频率 (fCLK):5 MHz
数据保留时间-最小值:100
耐久性:1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e4
长度:4.9 mm
内存密度:131072 bit
内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:8
湿度敏感等级:1
功能数量:1
端子数量:8
字数:16384 words
字数代码:16000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:16KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP
封装等效代码:SOP8,.25
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):260
电源:2/5 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.75 mm
串行总线类型:SPI
最大待机电流:0.000001 A
子类别:EEPROMs
最大压摆率:0.004 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):1.8 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
宽度:3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC):5 ms
写保护:HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches:1
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