CAT25256YI-GT3芯片概述
CAT25256YI-GT3是一款由Catalyst Semiconductor(现为On Semiconductor的一部分)开发的高性能非易失性内存(NVM)芯片。该芯片的主要应用为存储数据,特别是在需要保存数据同时又需频繁读写的场合,比如在移动设备、消费电子产品、工业自动化及其他嵌入式系统中扮演至关重要的角色。
CAT25256YI-GT3采用了先进的EEPROM技术,能够在断电情况下保持存储的数据。这种特性尤其适合需要长时间保存数据的应用场景。例如,个人电子设备需要保存用户配置、设置和其他重要数据,而工业设备则需要存储状态信息和历史记录。
CAT25256YI-GT3的详细参数
CAT25256YI-GT3具有多项显著特性,使其在市场上保持其竞争力。其主要技术参数包括:
- 容量: 256Kb(32K x 8位) - 接口: I²C兼容 - 工作电压: 1.7V至5.5V - 工作温度: -40°C至+85°C - 写入时间: 5ms(平均) - 读取时间: 1ms(平均) - 循环寿命: 至少100,000次写入/擦除 - 存储保持时间: 100年(典型值)
CAT25256YI-GT3支持多种操作模式,包括随机读写、顺序读和页面写入,此外,它还具有自我时钟功能,可以减少外部时钟信号的需求。
厂家、包装与封装
CAT25256YI-GT3由Catalyst Semiconductor生产,作为较为知名的半导体供应商,其产品广泛应用于各种电子设备中。CAT25256YI-GT3芯片采用SOP-8封装,标准的封装尺寸使其便于在多种应用中实现。
该芯片的封装设计确保其在各种环境条件下也能保持良好性能,此外,SOP-8封装还采用了抗冲击设计,增加了对外部物理冲击和温度变化的耐受能力。这种设计使得CAT25256YI-GT3适合在严格的工业和消费应用中使用。
引脚和电路图说明
CAT25256YI-GT3的引脚配置包括8个引脚,包括供电引脚、接地引脚与数据及时钟引脚。以下是该芯片引脚功能的详细说明:
1. 引脚1(VCC): 电源电压输入,引脚连接至电源,以提供所需的工作电压。 2. 引脚2(GND): 地引脚,与公共地相连。 3. 引脚3(SDA): 数据线,用于I²C通信协议的数据传输。 4. 引脚4(SCL): 时钟线,负责同步数据传输。 5. 引脚5(A0): 地址选择引脚,可通过接不同电平配置多达8个设备。 6. 引脚6(A1): 地址选择引脚,功能与引脚5相同。 7. 引脚7(A2): 地址选择引脚,功能与引脚5相同。 8. 引脚8(W/P): 写保护引脚,用于控制写操作的启用与禁用。
电路图示例可以帮助理解CAT25256YI-GT3如何集成到更大的电子系统中。在设计电路时,需要确保VCC与GND的连接正确,SDA和SCL引脚应与微控制器的I²C接口连接,写保护引脚建议在未用时接地。
使用案例
CAT25256YI-GT3的应用领域极为广泛,涉及到工业控制、消费电子、通信设备等多个方面:
1. 移动设备: 在智能手机中,CAT25256YI-GT3可以用来保存用户的配置、设置以及一些系统状态。这种非易失性存储器的优点在于,即便在设备关机或电池耗尽后,重要数据依然能够被保留下来。
2. 家电产品: 在智能家居产品中,比如智能冰箱,CAT25256YI-GT3可以存储用户的个性化设置与偏好。当设备重新启动时,仍然可以自动调出上次设置,提升用户体验。
3. 工业自动化: 在工业控制系统中,CAT25256YI-GT3经常用于存储设备状态、操作历史记录等关键信息,以便于进行维护和故障排查。
4. 汽车电子: 在现代汽车中,CAT25256YI-GT3可以用于存储驾驶员的设置、行车记录和故障分析信息。
5. 专业仪器: 在实验室和医疗器械中,CAT25256YI-GT3被用于保存测试参数与测量结果,以保证实验数据的持久性与准确性。
CAT25256YI-GT3芯片因其容量适中、可靠性高以及广泛的应用领域,成为了许多电子系统设计者的首选。这使得其在现代信息处理与存储技术中占据了一席之地。
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型号: | CAT25256YI-GT3 |
是否无铅: | 不含铅 |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active |
IHS 制造商: | ROCHESTER ELECTRONICS LLC |
零件包装代码: | TSSOP |
包装说明: | GREEN, MO-153, TSSOP-8 |
针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.71 |
Is Samacsys: | N |
最大时钟频率 (fCLK): | 5 MHz |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e4 |
长度: | 4.4 mm |
内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | NOT SPECIFIED |
功能数量: | 1 |
端子数量: | 8 |
字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 32KX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSSOP |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
并行/串行: | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
认证状态: | COMMERCIAL |
座面最大高度: | 1.2 mm |
串行总线类型: | SPI |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES |
技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | NICKEL PALLADIUM GOLD |
端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.65 mm |
端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
宽度: | 3 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 5 ms |
Base Number Matches: | 1 |
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