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| 型号: | CAV24C512C8ATR |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 包装说明： | VFBGA, |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.78 |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 1 MHz |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B8 |
| JESD-609代码： | e1 |
| 长度： | 1.65 mm |
| 内存密度： | 524288 bit |
| 内存集成电路类型： | EEPROM |
| 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 |
| 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 64KX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | VFBGA |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行： | SERIAL |
| 座面最大高度： | 0.6 mm |
| 串行总线类型： | I2C |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | AUTOMOTIVE |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 宽度： | 1.39 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC)： | 5 ms |
| Base Number Matches： | 1 |
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