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TI CD4011BE
中文翻译
CMOS NAND GATES
CMOS非门
触发器逻辑集成电路光电二极管
TI CD4011BE
中文翻译
The CD4011B, CD4012B, and CD4023B types are supplied in 14-lead hermetic dual-in-line ceramic packages
该CD4011B , CD4012B和CD4023B类型14引脚提供密封双列直插式陶瓷封装
触发器逻辑集成电路光电二极管
RENESAS CD4011BE98 CD4011BE98
光电二极管逻辑集成电路触发器
TI CD4011BEE4
中文翻译
CMOS NAND GATES
CMOS非门
RENESAS CD4011BEX IC,LOGIC GATE,QUAD 2-INPUT NAND,CMOS,DIP,14PIN,PLASTIC
输入元件光电二极管逻辑集成电路触发器
RENESAS CD4011BEX98 CD4011BEX98
光电二极管逻辑集成电路触发器
更多CD4011BE资料...

CD4011BE详细参数

是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
生命周期
Obsolete
IHS 制造商
INTERSIL CORP
零件包装代码
DIP
包装说明
DIP, DIP14,.3
针数
14
Reach Compliance Code
not_compliant
HTS代码
8542.39.00.01
风险等级
5.28
系列
4000/14000/40000
JESD-30 代码
R-PDIP-T14
JESD-609代码
e0
长度
19.17 mm
负载电容(CL)
50 pF
逻辑集成电路类型
NAND GATE
最大I(ol)
0.00042 A
功能数量
4
输入次数
2
端子数量
14
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP14,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
5/15 V
Prop。Delay @ Nom-Sup
250 ns
传播延迟(tpd)
250 ns
认证状态
Not Qualified
施密特触发器
NO
座面最大高度
5.33 mm
子类别
Gates
最大供电电压 (Vsup)
18 V
最小供电电压 (Vsup)
3 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
7.62 mm
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