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产品型号CDBHD2100-G的概述

CDBHD2100-G概述在当今电子技术迅猛发展的背景下，集成电路（IC）作为电子设备的核心元素，承载着无数功能与应用。CDBHD2100-G就是这样一款具有高性能和广泛应用前景的芯片，尤其在数字信号处理领域展现出其独特的优势。CDBHD2100-G芯片是专为高速数据处理和多媒体应用设计的，能够有效提升系统的处理能力与效率。 CDBHD2100-G详细参数 CDBHD2100-G具备一系列卓越的性能参数，使其在数字信号处理应用中成为理想的选择。以下是其主要参数： - 工作电压：典型值为3.3V，工作范围从2.7V到3.6V，兼顾了低功耗与兼容性的需求。 - 功耗：在正常工作情况下，功耗保持在150mW以下，适合需要长时间工作的设备。 - 处理速度：主频可达100MHz，支持多路处理架构，适合实时数据处理任务。 - 内存：内置256KB的快闪存储器，外接最大可支持2GB的DDR3 RA...

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Low VF SMD Schottky Bridge Rectifiers

CDBHD220-G Thru. CDBHD2100-G

Reverse Voltage: 20 to 100 Volts

Forward Current: 2.0 Amp

RoHS Device

Features

-Schottky barrier chips in TO-269AA bridge.

-Metal semiconductor junction with guard ring.

-Silicon epitaxial planar chips.

TO-269AA

-Very low forward drop down voltage.

^~MDS ^~

.165(4.2)

.150(3.8)

-For use in low voltage, high efficiency inverters, free

₊XXX

wheeling, and polarity protection applications.

-Lead-free parts meet RoHS requirments.

-UL recognized file # E321971

.008(0.2)

.275(7.0)

MAX

.031(0.8)

.019(0.5)

.043(1.1)

.027(0.7)

.193(4.9)

.177(4.5)

Mechanical data

.106(2.7)

.090(2.3)

-Case: TO-269AA, molded plastic.

.106(2.7)

.090(2.3)

-Terminals: solderable per MIL-STD-750,

method 2026.

-Polarity: Marked on body.

-Mounting Position: Any.

-Weight:0.22 gram(approx.).

Dimensions in inches and (millimeters)

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

CDBHD CDBHD CDBHD CDBHD CDBHD

Symbol

Parameter

Conditions

Units

220-G

240-G

260-G

280-G

2100-G

Max. repetitive peak reverse

voltage

V_RRM

VRMS

VR

20

40

60

80

100

V

A

Max. DC blocking voltage

Max. RMS voltage

14

20

28

40

42

60

56

80

70

100

Max. Instantaneous forward

voltage at 2.0A

Average Forward rectified

current

VF

0.5

0.70

2.0

50

0.85

2.0X2.0”(5.0x5.0mm) copper pad,

See fig.1

IAV

8.3ms single half sine-wave superimposed

on rate load (JEDEC methode)

Peak Forward surge current

IFSM

VR=VRRM TA=25°C

0.5

20

Reverse current

IR

mA

VR=VRRM TA=100°C

Junction to ambient

RθJA

RθJL

85

°C/W

pF

Thermal resistance

20

Junction to lead

Diode junction capacitance f=1MHz and applied 4V DC reverse voltage

CJ

150

Operating junction

temperature

-55 to +125

-65 to +175

-55 to +150

TJ

°C

Sorage temperature

QW-BL011

TSTG

REV:B

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Low VF SMD Schottky Bridge Rectifiers

RATING AND CHARACTERISTIC CURVES (CDBHD220-G Thru. CDBHD2100-G)

Fig. 2 - Maximum Non-Repetitive Peak

Fig.1 - Forward Current Derating Curve

Forward Surge Current

100

2.4

CDBHD280-G~CDBHD2100-G

2.0

1.6

CDBHD220-G ~CDBHD260-G

10

1.2

0.8

TL=110°C

single phase half wave 60Hz

8.3mS single half sine-wave

0.4

resistive or inductive load

(JEDEC Method)

3.75”(9.5mm) lead length

1

10

100

0

25

50

75 100

125 150 175

Lead Temperature ( °C)

Number of Cycles at 60 Hz

Fig. 3 - Typical Instantaneour Forward

Fig. 4A - Typical Reverse Characteristics

Characteristics

10

1.0

100

10

CDBHD220-G ~ CDBHD260-G

pulse width =300 µS

1% duty cycle, T j=25 °C

TJ=125 °C

TJ=100 °C

CDBHD220-G ~

CDBHD240-G

1.0

0.1

TJ=75 °C

TJ=25 °C

CDBHD260-G

0.1

0.01

CDBHD280-G ~ CDBHD2100-G

0.01

0.001

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

0

20

40

60

80

100

120

140

Instantaneous Forward Voltage (Volts)

Percent of Rated Peak Reverse Voltage ( %)

Fig. 4B - Typical Reverse Characteristics

Fig. 5 - Typical Junction Capacitance

1000

10000

1000

CDBHD280-G ~ CDBHD2100-G

T J=150 °C

T J=125 °C

100

10

100

10

T J=100 °C

1.0

0.1

TJ=25 °C

f=1.0MHz

TJ=25 °C

80 100

0.1

1.0

10

100

0

20

40

60

Reverse Voltage (Volts)

Percent of Rated Peak Reverse Voltage ( %)

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Low VF SMD Schottky Bridge Rectifiers

Reel Taping Specification

d

P0

T

P1

E

F

Index hole

+

X X X

S D M

W

~

B

C

P

A

1

2

0

o

D2

D

D1

W1

Trailer

.......

Device

Leader

.......

Start

End

.......

10 pitches (min)

Direction of Feed

SYMBOL

A

B

C

d

D

D1

D2

(mm)

1.55 ± 0.10

330 ± 1.00

12.992 ± 0.039

50.0 MIN.

1.969 MIN.

13.0 ± 0.20

0.512 ± 0.008

TO-269AA

5.00 ± 0.10

3.20 ± 0.10

0.126 ± 0.004

2.90 ± 0.10

0.114 ± 0.004

(inch)

0.0610 ± 0.004

0.197 ± 0.004

SYMBOL

(mm)

E

F

P

P0

P1

W

W1

12.00 ± 0.20

1.75 ± 0.10

5.50 ± 0.05

8.00 ± 0.10

4.00 ± 0.10

0.157 ± 0.004

2.00 ± 0.05

0.079 ± 0.002

18.40 MAX.

0.724 MAX.

(inch)

0.069 ± 0.004

0.217 ± 0.002

0.315 ± 0.004

0.472 ± 0.008

REV:B

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Low VF SMD Schottky Bridge Rectifiers

Marking Code

Part Number

CDBHD220-G

CDBHD240-G

CDBHD260-G

CDBHD280-G

CDBHD2100-G

~

+

MDS ^~

XXX

MDS22

MDS24

MDS26

MDS28

MDS210

xxx = Product type marking code

Suggested PAD Layout

B

TO-269AA

SIZE

(mm)

(inch)

0.105

0.023

A

B

C

2.67

0.58

0.76

D

0.030

0.272

D

6.91

C

A

Standard Packaging

REEL PACK

Case Type

REEL

Reel Size

( pcs )

(inch)

3,000

TO-269AA

13

REV:B

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型号:	CDBHD2100-G
是否无铅：	不含铅
是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active
IHS 制造商：	COMCHIP TECHNOLOGY CO LTD
零件包装代码：	TO-269AA
包装说明：	R-PDSO-G4
针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	1.68
Samacsys Confidence：	3
Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	372876
Samacsys Pin Count：	4
Samacsys Part Category：	Bridge Rectifier
Samacsys Package Category：	Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name：	CDBHD2100-G-1
Samacsys Released Date：	2019-02-06 12:28:16
Is Samacsys：	N
其他特性：	FREE WHEELING DIODE
最小击穿电压：	100 V
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.85 V
JEDEC-95代码：	TO-269AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
最大非重复峰值正向电流：	50 A
元件数量：	4
相数：	1
端子数量：	4
最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	250
最大重复峰值反向电压：	100 V
子类别：	Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY
端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

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