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产品型号CEF02N6的Datasheet PDF文件预览

CEF02N6  
Sep. 2002  
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  
FEATURES  
D
600V , 1.5A , RDS(ON)=5  
@VGS=10V.  
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON)  
High power and current handling capability.  
TO-220F full-pak for through hole  
.
6
G
S
TO-220F  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc=25 C unless otherwise noted)  
Limit  
Unit  
V
Parameter  
Symbol  
Drain-Source Voltage  
600  
V
DS  
VGS  
30  
Ć
V
Gate-Source Voltage  
I
D
1.5  
4.5  
A
Drain Current-Continuous  
-Pulsed  
I
DM  
A
Drain-Source Diode Forward Current  
I
S
4.5  
29  
A
W
Maximum Power Dissipation  
@Tc=25 C  
P
D
Derate above 25 C  
0.23  
W/ C  
Operating and Storage Temperautre Range  
T
J
, TSTG  
-65 to 150  
C
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
C/W  
C/W  
R
įJC  
4.3  
65  
RįJA  
6-117  
CEF02N6  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25 C unless otherwise noted)  
C
Typ Max  
Parameter  
Condition  
Min  
Unit  
Symbol  
DRAIN-SOURCE AVALANCHE RATINGa  
Single Pulse Drain-Source  
Avalanche Energy  
V
DD =50V, L=60mH  
mJ  
A
E
AS  
125  
2
R =9.1  
G
6
Maximum Drain-Source  
Avalanche Current  
I
AS  
OFF CHARACTERISTICS  
V
GS = 0V,I  
D
= 250µA  
Drain-Source Breakdown Voltage  
600  
V
BVDSS  
µA  
25  
I
DSS  
GSS  
V
DS = 600V, VGS = 0V  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate-Body Leakage  
VGS  
=
30V, VDS = 0V  
Ć
I
nA  
100  
Ć
ON CHARACTERISTICSa  
V
GS(th)  
2
2
4
V
Gate Threshold Voltage  
V
DS = VGS, I  
D
= 250µA  
RDS(ON)  
3.8  
1.2  
Drain-Source On-State Resistance  
5.0  
V
GS =10V, I  
D
= 1A  
V
GS = 10V, VDS = 10V  
On-State Drain Current  
I
D(ON)  
A
S
gFS  
Forward Transconductance  
V
DS = 50V, I  
D
= 1A  
SWITCHING CHARACTERISTICSb  
Turn-On Delay Time  
18  
18  
t
D(ON)  
35  
35  
ns  
ns  
V
DD = 300V,  
= 2A,  
I
V
D
Rise Time  
t
r
GS = 10V  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
t
D(OFF)  
90  
40  
25  
ns  
ns  
nC  
50  
16  
20  
R
GEN=18  
t
f
Q
g
Total Gate Charge  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
V
DS =480V, I  
D
= 2A,  
Q
gs  
gd  
2
nC  
nC  
VGS =10V  
Q
12  
6-118  
CEF02N6  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T  
C
=25 C unless otherwise noted)  
Typ Max  
Unit  
Parameter  
DYNAMIC CHARACTERISTICSb  
Condition  
Min  
Symbol  
250  
50  
Input Capacitance  
P
F
C
ISS  
OSS  
RSS  
V
DS =25V, VGS = 0V  
6
P
P
F
F
Output Capacitance  
C
f =1.0MH  
Z
Reverse Transfer Capacitance  
C
30  
DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS a  
Diode Forward Voltage  
V
V
SD  
V
GS = 0V, Is =1.5A  
1.5  
Notes  
ś
ś
a.Pulse Test:Pulse Width 300ijs, Duty Cycle 2%.  
b.Guaranteed by design, not subject to production testing.  
3.0  
VGS=10,9,8,7V  
2.5  
2.0  
150 C  
1
1.5  
VGS=6V  
1.0  
VGS=5V  
-55 C  
1.VDS=40V  
2.Pulse Test  
0.5  
25 C  
0.1  
0
2
4
10  
8
6
0
2
4
6
8
10  
12  
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)  
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)  
Figure 1. Output Characteristics  
Figure 2. Transfer Characteristics  
6-119  
CEF02N6  
2.2  
1.9  
600  
ID=1A  
VGS=10V  
500  
400  
1.6  
1.3  
Ciss  
300  
200  
1.0  
Coss  
100  
0.7  
0.4  
Crss  
6
0
25  
0
5
10  
15  
20  
-100  
-50  
0
50  
100  
200  
150  
TJ, Junction Temperature( C)  
VDS, Drain-to Source Voltage (V)  
Figure 4. On-Resistance Variation with  
Temperature  
Figure 3. Capacitance  
1.15  
1.30  
1.20  
ID=250ijA  
V
DS=VGS  
=250ijA  
1.10  
I
D
1.10  
1.0  
1.05  
1.00  
0.90  
0.95  
0.90  
0.85  
0.80  
0.70  
0.60  
-50 -25  
0
25 50 75 100 125 150  
-50 -25  
0
25 50 75 100 125 150  
Tj, Junction Temperature ( C)  
Tj, Junction Temperature ( C)  
Figure 5. Gate Threshold Variation  
with Temperature  
Figure 6. Breakdown Voltage Variation  
with Temperature  
20  
4
V
GS=0V  
10  
V
DS=50V  
3
2
1
1
0
0.1  
1
4
0
2
3
0.4  
1.2  
0.6  
1.0  
0.8  
IDS, Drain-Source Current (A)  
VSD, Body Diode Forward Voltage (V)  
Figure 7. Transconductance Variation  
with Drain Current  
Figure 8. Body Diode Forward Voltage  
Variation with Source Current  
6-120  
CEF02N6  
10  
1
15  
12  
V
=480V  
I
D
DS=2A  
Limit  
ON)  
(
9
6
RDS  
0.1  
0.01  
3
0
Tc=25 C  
Tj=150C  
Single Pulse  
6
500  
100  
1000  
24  
1
10  
0
6
12  
18  
Qg, Total Gate Charge (nC)  
VDS, Drain-Source Voltage (V)  
Figure 9. Gate Charge  
Figure 10. Maximum Safe  
Operating Area  
VDD  
on  
t
toff  
d(off)  
t
r
t
d(on)  
RL  
t
f
t
VIN  
90%  
10%  
90%  
D
OUT  
V
OUT  
V
VGS  
10%  
INVERTED  
RGEN  
G
90%  
50%  
50%  
S
IN  
V
10%  
PULSE WIDTH  
Figure 12. Switching Waveforms  
Figure 11. Switching Test Circuit  
0.2  
2
1
D=0.5  
0.1  
0.1  
DM  
P
0.05  
1
t
2
t
1. RįJC (t)=r (t) * RįJC  
2. RįJC=See Datasheet  
3. TJM-TC = P* RįJC (t)  
4. Duty Cycle, D=t1/t2  
0.02  
0.01  
0.01  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
1000  
10000  
Single Pulse  
Square Wave Pulse Duration (msec)  
Figure 13. Normalized Thermal Transient Impedance Curve  
6-121  
配单直通车
CEF02N6产品参数
型号:CEF02N6
生命周期:Contact Manufacturer
IHS 制造商:CHINO-EXCEL TECHNOLOGY CO LTD
包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.61
Base Number Matches:1
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