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    • CF65129MDM图

    • 北京中其伟业科技有限公司

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    • CF65129MDM
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    • CF65129MDM图

    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • CF65129MDM
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    产品型号CF6N60I的Datasheet PDF文件预览

    CF6N60I  
    1-GATE 栅极  
    2-DRAIN 漏极  
    DESCRIPTION  
    • Electronic Ballast  
    3-SOURCE 源极  
    • Electronic Transformer  
    • Switch Mode Power Supply  
    FEATURES  
    • Low Thermal Resistance  
    • High Iput Resistance  
    • Fast Switching  
    • ROHS Compliant  
    I-PAK  
    ℃
    ■ MAXIMUM RATINGS（Tc=25 )  
    PARAMETER  
    Drain-source Voltage  
    gate-source Voltage  
    SYMBOL  
    VALUE  
    UNIT  
    V
    VDS  
    VGS  
    ID  
    600  
    ±30  
    6
    V
    ℃
    Continuous Drain Current(TC=25  
    Drain Current-Pulsed  
    Total Dissipation  
    )
    A
    IDM  
    PD  
    24  
    A
    50  
    W
    ℃
    ℃
    mJ  
    Junction Temperature  
    Storage Temperature  
    Tj  
    150  
    -55-150  
    230  
    Tstg  
    EAS  
    Single Pulse Avalanche Energy  
    ℃
    ■ ELECTRONIC CHARACTERISTICS（Tc=25 )  
    CHARACTERISTICS  
    Drain-source Breakdown Voltage  
    Gate Threshold Voltage  
    SYMBOL TEST CONDITION  
    UNIT  
    MIN  
    600  
    2
    MAX  
    BVDSS  
    VGS(TH)  
    IDSS  
    VGS=0V, ID=250μA  
    VGS=VDS ,ID=250μA  
    VDS=600V,VGS=0V  
    VGS=0V,IS=6A  
    V
    V
    4
    Drain-source Leakage Current  
    Drain-Source Diode Forward Voltage  
    10  
    1.4  
    uA  
    V
    VSD  
    Gate-body Leakage  
    Current (VDS = 0)  
    IGSS  
    gfs  
    VGS=±30V,VDS=0V  
    Vds=10V,ID=3A  
    ±100  
    nA  
    S
    Forward Transconductance  
    0.5  
    Static Drain-source On  
    Resistance  
    RDS(ON)  
    RthJ-c  
    VGS=10V,ID=3A  
    1.5  
    2.3  
    Ω
    Thermal Resistance  
    Junction-case  
    ℃
    /W  
    V1.1 2014-01  
    http://ctc-semicon.com  
    P1/5  
    CF6N60I  
    ℃
    ■ DYNAMIC CHARACTERISTICS（Tc=25 )  
    CHARACTERISTICS SYMBOL TEST CONDITION MIN  
    UNIT  
    TYP  
    MAX  
    Input Capacitance  
    output Capacitance  
    Ciss  
    -
    -
    1080  
    85  
    1350  
    120  
    pF  
    pF  
    VDS=25V,VGS=0V,  
    f=1.0MHZ  
    Coss  
    Reverse Transfer  
    Capacitance  
    Crss  
    -
    7
    15  
    pF  
    ℃
    ■ SWITCHING CHARACTERISTICS（Tc=25 )  
    CHARACTERISTICS SYMBOL TEST CONDITION MIN  
    UNIT  
    TYP  
    MAX  
    Turn-On Delay Time  
    Turn-On Rise Time  
    Turn-Off Delay Time  
    Turn-Off Rise Time  
    Total Gate Charge  
    Gate-Source Charge  
    Gate-Drain Charge  
    td(on)  
    tr  
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    30  
    50  
    81  
    50  
    22  
    5
    50  
    100  
    200  
    100  
    25  
    -
    ns  
    ns  
    VDD=300V,ID=6A,  
    RG=25Ω  
    td(off)  
    tf  
    ns  
    ns  
    Qg  
    nC  
    nC  
    nC  
    VDS=480V，ID=6A,  
    Qgs  
    Qgd  
    VGS=10V  
    7
    -
    ℃
    ■ DRAIN-SOURCE DIODE MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS（Tc=25 )  
    CHARACTERISTICS SYMBOL TEST CONDITION MIN  
    TYP  
    MAX  
    UNIT  
    Max. Diode Forward  
    Is  
    -
    -
    -
    6
    A
    Cuurent  
    Max. Pulsed Forward  
    Cuurent  
    ISM  
    -
    24  
    A
    Diode Forward Voltage  
    Reverse Recovery Time  
    Reverse Recovery Charge  
    VSD  
    trr  
    VGS=0V,IS=6A  
    -
    -
    -
    -
    1.4  
    V
    365  
    3.4  
    -
    -
    ns  
    VGS=0V,IS=6A,  
    dIF/dt=100A/μs  
    Qrr  
    μC  
    V1.1 2014-01  
    http://ctc-semicon.com  
    P2/5  
    CF6N60I  
    ■ CHARACTERISTICS CURVE  
    Output Characterisic  
    Transfer Characterisic  
    On Resistance Vs Drain Current  
    Maximum Safe Operating Area  
    On Resistance Vs Junction Temperature  
    Capacitance  
    V1.1 2014-01  
    http://ctc-semicon.com  
    P3/5  
    CF6N60I  
    ■ CHARACTERISTICS CURVE  
    Gate Charge Waveform  
    Source-Drain Diode Forward Voltage  
    Breakdown Voltage Vs Junction  
    Temperature  
    V1.1 2014-01  
    http://ctc-semicon.com  
    P4/5  
    CF6N60I  
    I-PAK MECHANICAL DATA  
    UNIT：mm  
    SYMBOL  
    MIN  
    2.10  
    0.95  
    0.80  
    0.50  
    0.70  
    0.45  
    0.45  
    6.35  
    NOM  
    MAX  
    2.50  
    1.30  
    1.25  
    0.80  
    0.90  
    0.60  
    0.60  
    6.75  
    SYMBOL  
    MIN  
    5.10  
    5.80  
    2.25  
    7.70  
    1.45  
    NOM  
    2.30  
    0.30  
    MAX  
    5.50  
    6.30  
    2.35  
    8.50  
    1.95  
    A
    A1  
    B
    D1  
    E
    e
    b
    L
    b1  
    C
    L1  
    R
    C1  
    D
    V1.1 2014-01  
    http://ctc-semicon.com  
    P5/5  
    配单直通车
    •  
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