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CJD31C产品参数
型号:CJD31C
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
IHS 制造商:CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.23
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:100 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):10
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:15 W
最大功率耗散 (Abs):15 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):3 MHz
VCEsat-Max:1.2 V
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