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  • CM200HA-24E图
  • 江苏华美半导体有限公司

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  • 数量1050 
  • 厂家MITSUBISHI 
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  • 批号2023+ 
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  • CM200HA-24E图
  • 深圳市领航达电子有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 厂家【新到原装现货】 
  • 封装模块 
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  • CM200HA-24E图
  • 上海硅威科技有限公司

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  • 上海如美电子科技有限公司

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  • 批号19+ 
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  • 江苏华美半导体有限公司

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配单直通车
CM200HA-24H产品参数
型号:CM200HA-24H
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:MITSUBISHI ELECTRIC CORP
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.85
Is Samacsys:N
其他特性:SUPER FAST RECOVERY
外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):200 A
集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X4
元件数量:1
端子数量:4
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):1500 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:MOTOR CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):300 ns
标称接通时间 (ton):250 ns
VCEsat-Max:3.4 V
Base Number Matches:1
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