CPC5603CTR产品参数

品牌：IXYS Integrated Circuits Division

描述：MOSFET N-CH 415V 5MA SOT-223

详细描述：表面贴装 N 沟道 415V 5mA（Ta） 2.5W（Ta） SOT-223

制造商：IXYS Integrated Circuits Division

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：415V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：5mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：-0.35V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：14 欧姆 @ 50mA，350mV

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：-

Vgs（最大值）：±20V

FET 功能：耗尽模式

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）

工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：SOT-223

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

标准包装：1,000

其它名称：CLA299TR CPC5603CTR-ND