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CPDER5V0产品参数
型号:CPDER5V0
是否无铅:不含铅
是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:COMCHIP TECHNOLOGY CO LTD
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.69
Is Samacsys:N
最小击穿电压:5.1 V
击穿电压标称值:7 V
最大钳位电压:15 V
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-N2
JESD-609代码:e4
最大非重复峰值反向功率耗散:75 W
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:125 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性:BIDIRECTIONAL
参考标准:IEC-61000-4-2
最大重复峰值反向电压:5 V
子类别:Transient Suppressors
表面贴装:YES
技术:AVALANCHE
端子面层:Gold (Au)
端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1
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