CPH3351-TL-H产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 60V 1.8A CPH3

详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.8A（Ta） 1W（Ta） 3-CPH

制造商：ON Semiconductor

系列：-

包装：剪切带（CT）

零件状态：Digi-Key 停产

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：250 毫欧 @ 1A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：6nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：262pF @ 20V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：1W（Ta）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：3-CPH

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

标准包装：1

其它名称：CPH3351-TL-HOSCT