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品牌:ON Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 35V 3A CPH3
详细描述:表面贴装 N 沟道 35V 3A(Ta) 1W(Ta) 3-CPH
制造商:ON Semiconductor
系列:-
包装:带卷(TR)
零件状态:停產
FET 类型:N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):35V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):104 毫欧 @ 1.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):4nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):186pF @ 20V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):1W(Ta)
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:3-CPH
封装/外壳:SC-96
标准包装:3,000
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