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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • CPV362M4FPbF图
  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 深圳市惠诺德电子有限公司

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  • 厂家Vishay General Semiconductor - Diodes Di 
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  • 江苏华美半导体有限公司

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  • 大源实业科技有限公司

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CPV362M4F产品参数
型号:CPV362M4F
是否无铅:含铅
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active
IHS 制造商:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T13
针数:13
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.03
Is Samacsys:N
其他特性:ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):8.8 A
集电极-发射极最大电压:600 V
配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-PSFM-T13
元件数量:6
端子数量:13
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):23 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:MOTOR CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):799 ns
标称接通时间 (ton):73 ns
VCEsat-Max:1.7 V
Base Number Matches:1
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