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CSD17381F4产品参数
型号:CSD17381F4
Brand Name:Texas Instruments
是否无铅:不含铅
是否Rohs认证:符合
生命周期:Active
IHS 制造商:TEXAS INSTRUMENTS INC
包装说明:PICOSTAR-3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
Factory Lead Time:12 weeks
风险等级:1.1
Is Samacsys:N
其他特性:ULTRA LOW RESISTANCE
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):3.1 A
最大漏极电流 (ID):3.1 A
最大漏源导通电阻:0.25 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):2.9 pF
JESD-30 代码:R-XBGA-N3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):10 A
子类别:FET General Purpose Powers
表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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