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| 型号: | CSD25211W1015 |
| Brand Name： | Texas Instruments |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | TEXAS INSTRUMENTS INC |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| Factory Lead Time： | 12 weeks |
| 风险等级： | 1.69 |
| Is Samacsys： | N |
| 配置： | Single |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.2 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-XBGA-B6 |
| JESD-609代码： | e1 |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 工作模式： | -0.8 |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W |
| 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | BALL |
| 端子位置： | BOTTOM |
| Base Number Matches： | 1 |
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