CSD25302Q2产品参数

品牌：Texas Instruments

描述：MOSFET P-CH 20V 5A 6SON

详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5A（Tc） 2.4W（Ta） 6-SON

制造商：Texas Instruments

系列：NexFET™

包装：带卷（TR）

零件状态：停產

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：49 毫欧 @ 3A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：900mV @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：3.4nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：350pF @ 10V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：2.4W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：6-SON

封装/外壳：6-SMD，扁平引线

标准包装：3,000

其它名称：296-25444-2