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CSD25401Q3产品参数

品牌:Texas Instruments

描述:MOSFET P-CH 20V 60A 8-SON

详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 14A(Ta),60A(Tc) 2.8W(Ta) 8-VSON-CLIP(3.3x3.3)

制造商:Texas Instruments

系列:NexFET™

包装:带卷(TR)

零件状态:停產

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14A(Ta),60A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):11.7 毫欧 @ 10A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):12.3nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±12V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1400pF @ 10V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):2.8W(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:8-VSON-CLIP(3.3x3.3)

封装/外壳:8-PowerTDFN

标准包装:2,500

其它名称:296-24260-2

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