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CSD25401Q3产品参数
型号:CSD25401Q3
Brand Name:Texas Instruments
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:TEXAS INSTRUMENTS INC
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5
针数:8
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:1 week
风险等级:5.78
Samacsys Description:MOSFET P-CH 20V 60A 8-SON
其他特性:AVALANCHE RATED
外壳连接:SOURCE
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):60 A
最大漏极电流 (ID):14 A
最大漏源导通电阻:0.0182 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-N5
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:5
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):2.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):82 A
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
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