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CSD25485F5产品参数
型号:CSD25485F5
Brand Name:Texas Instruments
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:1.65
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (ID):3.2 A
最大漏源导通电阻:0.07 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):23 pF
JESD-30 代码:R-XBCC-N3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:P-CHANNEL
表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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