CSD75301W1015产品参数

品牌：Texas Instruments

描述：MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA

详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.2A 800mW Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)

制造商：Texas Instruments

系列：NexFET™

包装：带卷（TR）

零件状态：停產

FET 类型：2 个 P 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.2A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：100 毫欧 @ 1A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：2.1nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：195pF @ 10V

功率 - 最大值：800mW

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-UFBGA，DSBGA

供应商器件封装：6-DSBGA（1x1.5）

基本零件编号：CSD75301

标准包装：3,000

其它名称：296-24261-2