CSD86311W1723产品参数

品牌：Texas Instruments

描述：MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA

详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 4.5A 1.5W Surface Mount 12-DSBGA

制造商：Texas Instruments

系列：NexFET™

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4.5A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：39 毫欧 @ 2A，8V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：4nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：585pF @ 12.5V

功率 - 最大值：1.5W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：12-UFBGA，DSBGA

供应商器件封装：12-DSBGA

基本零件编号：CSD86311

标准包装：3,000

其它名称：296-27599-2

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）