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CSD87502Q2T产品参数
型号:CSD87502Q2T
Brand Name:Texas Instruments
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:TEXAS INSTRUMENTS INC
包装说明:SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6
Reach Compliance Code:compliant
Factory Lead Time:12 weeks
风险等级:1.66
其他特性:AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas):3.1 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (ID):5 A
最大漏源导通电阻:0.06 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):29 pF
JESD-30 代码:S-PDSO-N6
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:2
端子数量:6
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:SQUARE
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):23 A
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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