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型号: | CSD88537ND |
Brand Name: | Texas Instruments |
是否无铅: | 不含铅 |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active |
IHS 制造商: | TEXAS INSTRUMENTS INC |
包装说明: | SOIC-8 |
Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 |
Factory Lead Time: | 6 weeks |
风险等级: | 1.66 |
Samacsys Confidence: | 3 |
Samacsys Status: | Released |
Samacsys PartID: | 753605 |
Samacsys Pin Count: | 8 |
Samacsys Part Category: | MOSFET (N-Channel) |
Samacsys Package Category: | Small Outline Packages |
Samacsys Footprint Name: | so-8 |
Samacsys Released Date: | 2018-08-26 18:52:18 |
Is Samacsys: | N |
其他特性: | AVALANCHE RATED |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (ID): | 8 A |
最大漏源导通电阻: | 0.019 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 5.2 pF |
JEDEC-95代码: | MS-012AA |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e4 |
湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 2 |
端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 2.1 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 62 A |
表面贴装: | YES |
端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
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