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CSD88537ND产品参数
型号:CSD88537ND
Brand Name:Texas Instruments
是否无铅:不含铅
是否Rohs认证:符合
生命周期:Active
IHS 制造商:TEXAS INSTRUMENTS INC
包装说明:SOIC-8
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
Factory Lead Time:6 weeks
风险等级:1.66
Samacsys Confidence:3
Samacsys Status:Released
2D Presentation:https://componentsearchengine.com/2D/0T/753605.2.1.png
Schematic Symbol:https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=753605
PCB Footprint:https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=753605
3D View:https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=753605
Samacsys PartID:753605
Samacsys Image:https://componentsearchengine.com/Images/9/CSD88537ND.jpg
Samacsys Thumbnail Image:https://componentsearchengine.com/Thumbnails/2/CSD88537ND.jpg
Samacsys Pin Count:8
Samacsys Part Category:MOSFET (N-Channel)
Samacsys Package Category:Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name:so-8
Samacsys Released Date:2018-08-26 18:52:18
Is Samacsys:N
其他特性:AVALANCHE RATED
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (ID):8 A
最大漏源导通电阻:0.019 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):5.2 pF
JEDEC-95代码:MS-012AA
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e4
湿度敏感等级:1
元件数量:2
端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):2.1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):62 A
表面贴装:YES
端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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