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| 型号: | CT25ASJ-8 |
| 生命周期： | Transferred |
| IHS 制造商： | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.25 |
| 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 150 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 400 V |
| 配置： | SINGLE |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 1.5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 6 V |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
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