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CXK58256P-10L产品参数
型号:CXK58256P-10L
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SONY CORP
包装说明:DIP, DIP28,.6
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.86
Is Samacsys:N
最长访问时间:100 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDIP-T28
JESD-609代码:e0
长度:36.8 mm
内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8
功能数量:1
端子数量:28
字数:32768 words
字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:32KX8
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP
封装等效代码:DIP28,.6
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL
电源:5 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5 mm
最大待机电流:0.0001 A
最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.045 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL
宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1
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