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CXK79M18C162GB-5产品参数
型号:CXK79M18C162GB-5
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SONY CORP
零件包装代码:BGA
包装说明:BGA, BGA209,11X19,40
针数:209
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.84
最长访问时间:2.3 ns
其他特性:PIPELINED ARCHITECTURE; LATE WRITE
最大时钟频率 (fCLK):200 MHz
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PBGA-B209
长度:22 mm
内存密度:18874368 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:18
功能数量:1
端子数量:209
字数:1048576 words
字数代码:1000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:
组织:1MX18
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:BGA
封装等效代码:BGA209,11X19,40
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY
并行/串行:PARALLEL
电源:1.5/1.8,1.8 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.3 mm
最大待机电流:0.25 A
最小待机电流:1.7 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.47 mA
最大供电电压 (Vsup):1.95 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:OTHER
端子形式:BALL
端子节距:1 mm
端子位置:BOTTOM
宽度:14 mm
Base Number Matches:1
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