芯片 CY14B101Q2-LHXIT 概述
CY14B101Q2-LHXIT 是由雷光科技(Cypress Semiconductor)开发的一款非易失性静态随机存取存储器(NVRAM),结合了 SRAM 的高速度和 FRAM 的非易失性特性。该芯片是针对高性能存储应用设计的,特别是在需要快速读写速度和数据保留的场合。
这款芯片采用的是 1Mbit 的专用 SRAM 结构,能够以较低的功耗提供高性能,适应多种工作环境。CY14B101Q2-LHXIT 能够在断电后保持数据,提供了理想的解决方案用于存储配置、状态信息等时间敏感数据。
详细参数
CY14B101Q2-LHXIT 的技术参数如下:
- 存储容量:1 Mbit - 数据宽度:8位 - 电源电压:2.7V - 3.6V - 操作温度范围:-40°C 到 +85°C - 最大读写速度:高速读取和写入,最大达到 70 ns - 非易失性:数据在掉电情况下能够保持 10 年以上 - 内存接口:支持 SPI 接口 - 功耗:在待机模式下为 1 μA,在工作模式下为 50 mA - 封装形式:44-VFQFN,封装尺寸为 6 mm x 6 mm
厂家、包装与封装
CY14B101Q2-LHXIT 由 Cypress Semiconductor 研发并制造。它采用了 44-VFQFN 封装(超薄扁平四方无引脚封装),使其适合各种小型化的电子设备。该封装减小了芯片的占用空间,同时保证了良好的散热性能及电气性能。
对于包装,CY14B101Q2-LHXIT 通常以卷带形式提供,便于表面贴装(SMD)的生产需求。每卷带中包含特定数量的芯片,通常为 1000 个,具体数量视供应商而定。此外,为了防止静电损坏,芯片在运输和储存中会采用静电防护包装。
引脚和电路图说明
CY14B101Q2-LHXIT 的引脚配置如下:
1. VCC:电源引脚,将芯片连接到电源以提供工作所需的电压。 2. GND:接地引脚,将芯片的地连接到电源的地。 3. SI:串行输入引脚,用于接收从主控芯片发送的数据。 4. SO:串行输出引脚,用于发送数据到主控芯片。 5. SCK:串行时钟引脚,为数据传输提供时钟信号。 6. CS#:片选引脚,低电平激活芯片,允许与主控器进行通信。 7. WP#:写保护引脚,通过高电平锁定写入操作。 8. HOLD#:保持引脚,在主控器处理其他任务时,可以暂停数据传输。
电路图设计时,需要根据以上引脚配置将 CY14B101Q2-LHXIT 正确认接入到控制器或微处理器的 SPI 接口中。通常,电路图会将 VCC 和 GND 连接至适当的电源和地引脚,并确保 SPI 线路的连接符合逻辑电平要求。
使用案例
CY14B101Q2-LHXIT 可以广泛应用于各种领域,如以下几个实例所示:
1. 智能家居设备:在智能家居中,CY14B101Q2-LHXIT 可以用来存储用户设置,确保在断电重启后依然能保持原有的配置,如灯光亮度、温控设置等。
2. 工业自动化:在工业控制中,CY14B101Q2-LHXIT 可作为实时数据的存储器,在设备中保存重要的配置信息和运行状态,确保在设备停机时依然可用。
3. 消费电子产品:在各种消费电子产品中,如数码相机、智能手表等,CY14B101Q2-LHXIT 可被用于存储用户数据,确保在更换电池或关闭设备后,数据依然保持完整。
4. 网络设备:在路由器或交换机中,该芯片可用于存储配置参数和固件版本,以便设备重启后不丢失任何设置。
5. 汽车电子:在汽车电子系统中,包括引擎控制、GPS 导航系统等,CY14B101Q2-LHXIT 也可以作为非易失性存储,以保持关键的数据和系统状态。
通过对 CY14B101Q2-LHXIT 的深入了解,可以发现其在现代电子产品中扮演着至关重要的角色,并在多个领域展现出广泛的应用潜力。
在未来,随着技术的不断进步和需求的增长,CY14B101Q2-LHXIT 及其继任者将继续推动存储技术的创新和发展,助力各类智能设备的进一步普及。
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型号: | CY14B101Q2-LHXIT |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active |
零件包装代码: | DFN |
包装说明: | 0.196 INCH, ROHS COMPLIANT, MO-240, DFN-8 |
针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.37 |
Is Samacsys: | N |
JESD-30 代码: | R-XDSO-N8 |
JESD-609代码: | e4 |
长度: | 6 mm |
内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM |
内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 |
端子数量: | 8 |
字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 128KX8 |
封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | VSON |
封装等效代码: | SOLCC8,.25 |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE |
并行/串行: | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 3/3.3 V |
认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 0.8 mm |
最大待机电流: | 0.005 A |
子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.01 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES |
技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 5 mm |
Base Number Matches: | 1 |
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