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产品型号CY14B101Q2-LHXIT的产品参数和CY14B101Q2-LHXIT的使用说明

芯片 CY14B101Q2-LHXIT 概述

CY14B101Q2-LHXIT 是由雷光科技(Cypress Semiconductor)开发的一款非易失性静态随机存取存储器(NVRAM),结合了 SRAM 的高速度和 FRAM 的非易失性特性。该芯片是针对高性能存储应用设计的,特别是在需要快速读写速度和数据保留的场合。

这款芯片采用的是 1Mbit 的专用 SRAM 结构,能够以较低的功耗提供高性能,适应多种工作环境。CY14B101Q2-LHXIT 能够在断电后保持数据,提供了理想的解决方案用于存储配置、状态信息等时间敏感数据。

详细参数

CY14B101Q2-LHXIT 的技术参数如下:

- 存储容量:1 Mbit - 数据宽度:8位 - 电源电压:2.7V - 3.6V - 操作温度范围:-40°C 到 +85°C - 最大读写速度:高速读取和写入,最大达到 70 ns - 非易失性:数据在掉电情况下能够保持 10 年以上 - 内存接口:支持 SPI 接口 - 功耗:在待机模式下为 1 μA,在工作模式下为 50 mA - 封装形式:44-VFQFN,封装尺寸为 6 mm x 6 mm

厂家、包装与封装

CY14B101Q2-LHXIT 由 Cypress Semiconductor 研发并制造。它采用了 44-VFQFN 封装(超薄扁平四方无引脚封装),使其适合各种小型化的电子设备。该封装减小了芯片的占用空间,同时保证了良好的散热性能及电气性能。

对于包装,CY14B101Q2-LHXIT 通常以卷带形式提供,便于表面贴装(SMD)的生产需求。每卷带中包含特定数量的芯片,通常为 1000 个,具体数量视供应商而定。此外,为了防止静电损坏,芯片在运输和储存中会采用静电防护包装。

引脚和电路图说明

CY14B101Q2-LHXIT 的引脚配置如下:

1. VCC:电源引脚,将芯片连接到电源以提供工作所需的电压。 2. GND:接地引脚,将芯片的地连接到电源的地。 3. SI:串行输入引脚,用于接收从主控芯片发送的数据。 4. SO:串行输出引脚,用于发送数据到主控芯片。 5. SCK:串行时钟引脚,为数据传输提供时钟信号。 6. CS#:片选引脚,低电平激活芯片,允许与主控器进行通信。 7. WP#:写保护引脚,通过高电平锁定写入操作。 8. HOLD#:保持引脚,在主控器处理其他任务时,可以暂停数据传输。

电路图设计时,需要根据以上引脚配置将 CY14B101Q2-LHXIT 正确认接入到控制器或微处理器的 SPI 接口中。通常,电路图会将 VCC 和 GND 连接至适当的电源和地引脚,并确保 SPI 线路的连接符合逻辑电平要求。

使用案例

CY14B101Q2-LHXIT 可以广泛应用于各种领域,如以下几个实例所示:

1. 智能家居设备:在智能家居中,CY14B101Q2-LHXIT 可以用来存储用户设置,确保在断电重启后依然能保持原有的配置,如灯光亮度、温控设置等。

2. 工业自动化:在工业控制中,CY14B101Q2-LHXIT 可作为实时数据的存储器,在设备中保存重要的配置信息和运行状态,确保在设备停机时依然可用。

3. 消费电子产品:在各种消费电子产品中,如数码相机、智能手表等,CY14B101Q2-LHXIT 可被用于存储用户数据,确保在更换电池或关闭设备后,数据依然保持完整。

4. 网络设备:在路由器或交换机中,该芯片可用于存储配置参数和固件版本,以便设备重启后不丢失任何设置。

5. 汽车电子:在汽车电子系统中,包括引擎控制、GPS 导航系统等,CY14B101Q2-LHXIT 也可以作为非易失性存储,以保持关键的数据和系统状态。

通过对 CY14B101Q2-LHXIT 的深入了解,可以发现其在现代电子产品中扮演着至关重要的角色,并在多个领域展现出广泛的应用潜力。

在未来,随着技术的不断进步和需求的增长,CY14B101Q2-LHXIT 及其继任者将继续推动存储技术的创新和发展,助力各类智能设备的进一步普及。

配单直通车
CY14B101Q2-LHXIT产品参数
型号:CY14B101Q2-LHXIT
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
零件包装代码:DFN
包装说明:0.196 INCH, ROHS COMPLIANT, MO-240, DFN-8
针数:8
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.37
Is Samacsys:N
JESD-30 代码:R-XDSO-N8
JESD-609代码:e4
长度:6 mm
内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM
内存宽度:8
湿度敏感等级:3
功能数量:1
端子数量:8
字数:131072 words
字数代码:128000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:128KX8
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:VSON
封装等效代码:SOLCC8,.25
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):260
电源:3/3.3 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:0.8 mm
最大待机电流:0.005 A
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.01 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:5 mm
Base Number Matches:1
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