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CY14B116S-BZ35XI产品参数
型号:CY14B116S-BZ35XI
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
包装说明:LBGA,
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.71
最长访问时间:35 ns
JESD-30 代码:R-PBGA-B165
长度:17 mm
内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM
内存宽度:32
功能数量:1
端子数量:165
字数:524288 words
字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:512KX32
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LBGA
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行:PARALLEL
座面最大高度:1.4 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:BALL
端子节距:1 mm
端子位置:BOTTOM
宽度:15 mm
Base Number Matches:1
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