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CY14V101NA-BA25XI产品参数
型号:CY14V101NA-BA25XI
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
零件包装代码:BGA
包装说明:TFBGA, BGA48,6X8,30
针数:48
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41
Factory Lead Time:1 week
风险等级:1.92
Is Samacsys:N
最长访问时间:25 ns
JESD-30 代码:R-PBGA-B48
JESD-609代码:e1
长度:10 mm
内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM
内存宽度:16
湿度敏感等级:3
功能数量:1
端子数量:48
字数:65536 words
字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:64KX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA
封装等效代码:BGA48,6X8,30
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260
电源:1.8,3.3 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm
最大待机电流:0.008 A
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.07 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式:BALL
端子节距:0.75 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:6 mm
Base Number Matches:1
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