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CY62157EV30LL-45ZXI产品参数
型号:CY62157EV30LL-45ZXI
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
零件包装代码:TSOP1
包装说明:TSOP1-48
针数:48
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41
Factory Lead Time:1 week
风险等级:1.2
最长访问时间:45 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G48
JESD-609代码:e3
长度:18.4 mm
内存密度:8388608 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:16
湿度敏感等级:3
功能数量:1
端子数量:48
字数:524288 words
字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:512KX16
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1
封装等效代码:TSSOP48,.8,20
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260
电源:2.5/3.3 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm
最大待机电流:0.000005 A
最小待机电流:1.5 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.025 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.2 V
标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:12 mm
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