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CY7C1019DV33-10VXI产品参数
型号:CY7C1019DV33-10VXI
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
零件包装代码:SOJ
包装说明:SOJ, SOJ32,.44
针数:32
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.B
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:1.33
最长访问时间:10 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J32
JESD-609代码:e4
长度:20.955 mm
内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8
湿度敏感等级:3
功能数量:1
端子数量:32
字数:131072 words
字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:128KX8
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ32,.44
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260
电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.75 mm
最大待机电流:0.003 A
最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.06 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1
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