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  • CY7C1021V33-10ZCT图
  • 深圳市特顺芯科技有限公司

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  • CY7C1021V33-10ZCT图
  • 深圳市宇川湘科技有限公司

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  • CY7C1021V33-10ZCT
  • 数量23000 
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  • CY7C1021V33-10ZCT图
  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • CY7C1021V33-10ZCT
  • 数量6500000 
  • 厂家赛普拉斯 
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  • 万三科技 秉承原装 实单可议
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配单直通车
CY7C1021V33-12BAC产品参数
型号:CY7C1021V33-12BAC
生命周期:Active
IHS 制造商:ROCHESTER ELECTRONICS LLC
包装说明:TFBGA,
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.B
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.61
最长访问时间:12 ns
其他特性:AUTOMATIC POWER DOWN
JESD-30 代码:S-PBGA-B48
长度:7 mm
内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:16
功能数量:1
端子数量:48
字数:65536 words
字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:64KX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA
封装形状:SQUARE
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行:PARALLEL
座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.63 V
最小供电电压 (Vsup):2.97 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子形式:BALL
端子节距:0.75 mm
端子位置:BOTTOM
宽度:7 mm
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