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CY7C1320JV18-300BZC产品参数
型号:CY7C1320JV18-300BZC
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
零件包装代码:BGA
包装说明:13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
针数:165
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:8.79
最长访问时间:0.45 ns
其他特性:PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK):300 MHz
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PBGA-B165
长度:15 mm
内存密度:18874368 bit
内存集成电路类型:DDR SRAM
内存宽度:36
湿度敏感等级:3
功能数量:1
端子数量:165
字数:524288 words
字数代码:512000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:512KX36
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LBGA
封装等效代码:BGA165,11X15,40
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行:PARALLEL
电源:1.5/1.8,1.8 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.4 mm
最大待机电流:0.295 A
最小待机电流:1.7 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.73 mA
最大供电电压 (Vsup):1.9 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子形式:BALL
端子节距:1 mm
端子位置:BOTTOM
宽度:13 mm
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