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  • HECC GROUP CO.,LIMITED

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  • 长荣电子

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CY7C1512V18-200BZCT产品参数
型号:CY7C1512V18-200BZCT
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92
最长访问时间:0.45 ns
最大时钟频率 (fCLK):200 MHz
I/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-PBGA-B165
内存密度:75497472 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:18
端子数量:165
字数:4194304 words
字数代码:4000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:4MX18
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:BGA
封装等效代码:BGA165,11X15,40
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY
并行/串行:PARALLEL
电源:1.8 V
认证状态:Not Qualified
最小待机电流:1.7 V
子类别:SRAMs
标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子形式:BALL
端子节距:1 mm
端子位置:BOTTOM
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