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  • 深圳市湘达电子有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 八零友创集团

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  • 深圳市创思克科技有限公司

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CY7C199-20VI产品参数
型号:CY7C199-20VI
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOJ
包装说明:0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
针数:28
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.44
最长访问时间:20 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J28
JESD-609代码:e0
长度:17.907 mm
内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8
湿度敏感等级:1
功能数量:1
端口数量:1
端子数量:28
字数:32768 words
字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:32KX8
输出特性:3-STATE
可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ28,.34
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225
电源:5 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.556 mm
最大待机电流:0.01 A
最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.15 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:7.5 mm
Base Number Matches:1
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