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| 型号: | CY7C25652KV18-550BZXC |
| 是否Rohs认证: | 符合 |
| 生命周期: | Active |
| 包装说明: | LBGA, BGA165,11X15,40 |
| Reach Compliance Code: | compliant |
| ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
| HTS代码: | 8542.32.00.41 |
| Factory Lead Time: | 1 week |
| 风险等级: | 1.93 |
| 最长访问时间: | 0.45 ns |
| 其他特性: | PIPELINED ARCHITECTURE |
| 最大时钟频率 (fCLK): | 550 MHz |
| I/O 类型: | SEPARATE |
| JESD-30 代码: | R-PBGA-B165 |
| JESD-609代码: | e1 |
| 长度: | 15 mm |
| 内存密度: | 75497472 bit |
| 内存集成电路类型: | QDR SRAM |
| 内存宽度: | 36 |
| 湿度敏感等级: | 3 |
| 功能数量: | 1 |
| 端子数量: | 165 |
| 字数: | 2097152 words |
| 字数代码: | 2000000 |
| 工作模式: | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度: | 70 °C |
| 最低工作温度: | |
| 组织: | 2MX36 |
| 输出特性: | 3-STATE |
| 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码: | LBGA |
| 封装等效代码: | BGA165,11X15,40 |
| 封装形状: | RECTANGULAR |
| 封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
| 并行/串行: | PARALLEL |
| 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
| 电源: | 1.5/1.8,1.8 V |
| 认证状态: | Not Qualified |
| 座面最大高度: | 1.4 mm |
| 最大待机电流: | 0.38 A |
| 最小待机电流: | 1.7 V |
| 子类别: | SRAMs |
| 最大压摆率: | 1.31 mA |
| 最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
| 表面贴装: | YES |
| 技术: | CMOS |
| 温度等级: | COMMERCIAL |
| 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式: | BALL |
| 端子节距: | 1 mm |
| 端子位置: | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
| 宽度: | 13 mm |
| Base Number Matches: | 1 |
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