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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市惠诺德电子有限公司

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  • 深圳市斌腾达科技有限公司

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  • 深圳市宇川湘科技有限公司

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  • 深圳市和谐世家电子有限公司

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  • 万三科技(深圳)有限公司

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CY7C4141KV13-633FCXI产品参数
型号:CY7C4141KV13-633FCXI
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
包装说明:HBGA,
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.75
JESD-30 代码:S-PBGA-B361
长度:21 mm
内存密度:150994944 bit
内存集成电路类型:QDR SRAM
内存宽度:36
功能数量:1
端子数量:361
字数:4194304 words
字数代码:4000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:4MX36
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:HBGA
封装形状:SQUARE
封装形式:GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
座面最大高度:2.765 mm
最大供电电压 (Vsup):1.34 V
最小供电电压 (Vsup):1.26 V
标称供电电压 (Vsup):1.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:BALL
端子节距:1 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:21 mm
Base Number Matches:1
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