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  • 上海振基实业有限公司

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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 深圳市斌创电子有限公司

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CY8C20142-SX1I产品参数
型号:CY8C20142-SX1I
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP,
针数:8
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.31.00.01
风险等级:8.4
其他特性:SRAM IS ORGANISED AS 512MB
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e4
长度:4.889 mm
内存密度:2048 bit
内存集成电路类型:MEMORY CIRCUIT
内存宽度:1
湿度敏感等级:3
功能数量:1
端子数量:8
字数:2048 words
字数代码:2000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:2KX1
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.727 mm
最大供电电压 (Vsup):5.25 V
最小供电电压 (Vsup):2.4 V
标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:3.9 mm
Base Number Matches:1
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