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| 型号: | CYDM064B16-55BVXI |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | ROCHESTER ELECTRONICS LLC |
| 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, MO-195C, VFBGA-100 |
| 针数： | 100 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.83 |
| 最长访问时间： | 55 ns |
| 其他特性： | ALSO OPERATES AT 2.5V AND 3V SUPPLY |
| JESD-30 代码： | S-PBGA-B100 |
| JESD-609代码： | e1 |
| 长度： | 6 mm |
| 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 100 |
| 字数： | 4096 words |
| 字数代码： | 4000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 4KX16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | VFBGA |
| 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | COMMERCIAL |
| 座面最大高度： | 1 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 |
| 宽度： | 6 mm |
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