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  • 深圳市惠诺德电子有限公司

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DG417BDY-T1-E3产品参数
型号:DG417BDY-T1-E3
是否无铅: 不含铅
生命周期:Active
IHS 制造商:VISHAY SILICONIX
零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP, SOP8,.25
针数:8
Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.5
其他特性:ALSO OPERATES WITH 12 V NOMINAL SINGLE SUPPLY
模拟集成电路 - 其他类型:SPST
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e3
长度:4.9 mm
湿度敏感等级:1
标称负供电电压 (Vsup):-15 V
正常位置:NC
信道数量:1
功能数量:4
端子数量:8
标称断态隔离度:82 dB
最大通态电阻 (Ron):25 Ω
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP
封装等效代码:SOP8,.25
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
电源:12/+-15 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.75 mm
子类别:Multiplexer or Switches
标称供电电压 (Vsup):15 V
表面贴装:YES
最长断开时间:80 ns
最长接通时间:89 ns
切换:BREAK-BEFORE-MAKE
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
宽度:3.9 mm
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