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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 上海如美电子科技有限公司

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  • 江苏华美半导体有限公司

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  • 深圳市正纳电子有限公司

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D1230N18T产品参数
型号:D1230N18T
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.56
应用:GENERAL PURPOSE
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.77 V
JESD-30 代码:O-CEDB-N2
最大非重复峰值正向电流:11800 A
元件数量:1
相数:1
端子数量:2
最高工作温度:180 °C
最大输出电流:1230 A
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1800 V
子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD
端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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