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    • D164029图

    • 深圳市一线半导体有限公司

       该会员已使用本站16年以上
    • D164029
    • 数量22000 
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    产品型号D1641SX45T的Datasheet PDF文件预览

    Technische Information / Technical Information  
    Schnelle Diode  
    D 1641 SX 45T  
    Fast Diode  
    S
    Vorläufige Daten .  
    Preliminary Data .  
    Features  
    ·
    ·
    Specially designed for operation with small  
    snubber  
    ·
    ·
    140°C maximum junction temperature  
    Electroactive passivation by a-C:H  
    Low losses, soft recovery  
    Elektrische Eigenschaften / Electrical properties  
    Höchstzulässige Werte / Maximum rated values  
    tvj = 0°C ... tvj max  
    f = 50Hz  
    Periodische Spitzensperrspannung  
    repetitive peak reverse voltage  
    VRRM  
    IFRMSM  
    IFAVM  
    4500  
    3200  
    V
    A
    tc = 60°C. f = 50Hz  
    Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert  
    RMS forward current  
    tC = 85°C, f = 50Hz  
    tC = 60°C, f = 50Hz  
    Dauergrenzstrom  
    mean forward current  
    1640  
    2050  
    A
    A
    tvj = tvj max, tp = 10ms  
    tvj = tvj max, tp = 10ms  
    Stoßstrom-Grenzwert  
    surge forward current  
    IFSM  
    28 kA  
    A2s  
    I2t  
    3,92 × 106  
    Grenzlastintegral  
    I2t-value  
    iFM = 2500A, VR = 3000V,  
    tvj = tvj max, RCD – Snubber C = 1µF,  
    Ls = 0,1µH  
    Max. Abklingsteilheit des Durchlaßstroms beim Ausschalten  
    max. decay rate of on-state current at turn-off  
    (-diF/dt)crit  
    1100 A/µs  
    Charakteristische Werte / Characteristic values  
    failure rate l < 100  
    typ.  
    Gleichsperrspannung  
    continuous direct reverse voltage  
    VR(D)  
    2500  
    3,1  
    V
    estimate value  
    tvj = tvj max, iF = 2500A  
    max  
    Durchlaßspannung  
    forward voltage  
    vF  
    V
    tvj = tvj max  
    Schleusenspannung  
    threshold voltage  
    V(TO)  
    1,4  
    V
    tvj = tvj max  
    Ersatzwiderstand  
    rT  
    0,68  
    mW  
    forward slope resistance  
    tvj = tvj max  
    max.  
    – 0,1037  
    0,000221  
    0,1521  
    Durchlaßrechenkennlinie  
    On-state characteristics for calculation  
    200 A £ iF £ 5000 A  
    A
    B
    C
    D
    V = A+ B×i + C×ln i +1 + D× i  
    F
    (
    )
    F
    F
    F
    0,02922  
    tvj = tvj max, diF/dt = 500A/µs  
    Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung  
    peak value of forward recovery voltage  
    VFRM  
    typ. 60  
    V
    tvj = tvj max, vR = VRRM  
    Sperrstrom  
    iR  
    100 mA  
    reverse current  
    SZ-M / 29.11.99, Vers.1 Beuermann /Keller  
    Seite/page 1  
    Technische Information / Technical Information  
    Schnelle Diode  
    D 1641 SX 45T  
    Fast Diode  
    S
    Vorläufige Daten .  
    Preliminary Data .  
    Rückstromspitze  
    peak reverse recovery current  
    IRM  
    Qr  
    max 1800 A  
    tvj = tvj max VR = 2800V  
    Sperrverzögerungsladung  
    recovered charge  
    max 4200 µAs  
    ca 4,0 Ws  
    iFM = 2500A, -diF/dt = 1000A/µs  
    RCD – Snubber C = 1µF,  
    Ls = 0,1µH  
    Ausschaltverlust Energie  
    turn-off energy  
    Eoff  
    Thermische Eigenschaften / Thermal properties  
    Kühlfläche / cooling surface  
    beidseitig / two-sided, DC  
    Anode / anode, DC  
    Innerer Wärmewiderstand  
    thermal resistance, junction to case  
    RthJC  
    max  
    max  
    max  
    0,0075 °C/W  
    0,0133 °C/W  
    0,0173 °C/W  
    Kathode /cathode, DC  
    Kühlfläche / cooling surface  
    beidseitig / two-sided  
    Übergangs-Wärmewiderstand  
    thermal resistance, case to heatsink  
    RthCK  
    max  
    max  
    0,003 °C/W  
    0,006 °C/W  
    einseitig / single sided  
    Höchstzulässige Sperrschichttemperatur  
    max. junction temperature  
    tvj max  
    tc op  
    tstg  
    140 °C  
    0...+140 °C  
    Betriebstemperatur  
    operating temperature  
    Lagertemperatur  
    -40...+150 °C  
    storage temperature  
    Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties  
    Gehäuse, siehe Anlage  
    case, see appendix  
    Seite 3  
    65DSX45  
    27...45 kN  
    Si - Element mit Druckkontakt  
    Si - pellet with pressure contact  
    Anpreßkraft  
    F
    clampig force  
    typ  
    Gewicht  
    weight  
    G
    500 g  
    Kriechstrecke  
    creepage distance  
    22,5 mm  
    mm  
    Luftstrecke  
    air distance  
    DIN 40040  
    f = 50Hz  
    Feuchteklasse  
    humidity classification  
    C
    Schwingfestigkeit  
    50 m/s2  
    vibration resistance  
    Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.  
    This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes  
    SZ-M / 29.11.99, Vers.1 Beuermann /Keller  
    Seite/page 2  
    Technische Information / Technical Information  
    Schnelle Diode  
    D 1641 SX 45T  
    Fast Diode  
    S
    Vorläufige Daten .  
    Preliminary Data .  
    .
    Outline Drawing  
    SZ-M / 29.11.99, Vers.1 Beuermann /Keller  
    Seite/page 3  
    Technische Information / Technical Information  
    Schnelle Diode  
    D 1641 SX 45T  
    Fast Diode  
    S
    Vorläufige Daten .  
    Preliminary Data .  
    On-State Characteristics ( v F )  
    upper limit of scatter range  
    5500  
    5000  
    4500  
    4000  
    3500  
    max  
    3000  
    2500  
    2000  
    1500  
    1000  
    500  
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    VT [V]  
    SZ-M / 29.11.99, Vers.1 Beuermann /Keller  
    Seite/page 4  
    Technische Information / Technical Information  
    Schnelle Diode  
    D 1641 SX 45T  
    Fast Diode  
    S
    Vorläufige Daten .  
    Preliminary Data .  
    Transient thermal Impedance for constant-current  
    Double side  
    cooled  
    Cathode side  
    cooled  
    Anode side  
    cooled  
    r [K/W]  
    1 0,0016  
    [s]  
    r [K/W]  
    [s]  
    r [K/W]  
    0,0114  
    [s]  
    0,63  
    0,0074  
    0,0038  
    0,0006  
    0,001  
    3,05  
    3,26  
    2 0,0038  
    3 0,0006  
    4 0,001  
    5 0,0005  
    0,0075  
    0,1  
    0,1  
    0,0038  
    0,0006  
    0,001  
    0,1  
    0,0406  
    0,0094  
    0,0019  
    0,0406  
    0,0094  
    0,0019  
    0,0406  
    0,0094  
    0,0019  
    0,0005  
    0,0133  
    0,0005  
    0,0173  
    -
    -
    -
    S
    0,02  
    nmax  
    Z =  
    R × 1- e- t /t  
    n
    (
    )
    å
    thJC  
    thn  
    n=1  
    k
    0,015  
    0,01  
    a
    d
    0,005  
    0
    0,001  
    0,01  
    0,1  
    1
    10  
    100  
    t / [sec.]  
    SZ-M / 29.11.99, Vers.1 Beuermann /Keller  
    Seite/page 5  
    配单直通车
    D1641SX45T产品参数
    型号:D1641SX45T
    生命周期：Obsolete
    Reach Compliance Code：unknown
    风险等级：5.75
    应用：SOFT RECOVERY
    配置：SINGLE
    二极管元件材料：SILICON
    二极管类型：RECTIFIER DIODE
    最大正向电压 (VF)：3.1 V
    JESD-30 代码：O-CEDB-N2
    最大非重复峰值正向电流：28000 A
    元件数量：1
    相数：1
    端子数量：2
    最高工作温度：140 °C
    最大输出电流：2050 A
    封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
    封装形状：ROUND
    封装形式：DISK BUTTON
    认证状态：Not Qualified
    最大重复峰值反向电压：4500 V
    子类别：Rectifier Diodes
    表面贴装：YES
    端子形式：NO LEAD
    端子位置：END
    Base Number Matches：1
    •  
    • 供货商
    • 型号 *
    • 数量*
    • 厂商
    • 封装
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