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| 型号: | D3V3H1B2LP-7B |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active |
| 包装说明： | R-PBCC-N2 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| Factory Lead Time： | 13 weeks |
| 风险等级： | 5.74 |
| 最大击穿电压： | 6.5 V |
| 最小击穿电压： | 3.8 V |
| 击穿电压标称值： | 5.15 V |
| 最大钳位电压： | 9.5 V |
| 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PBCC-N2 |
| JESD-609代码： | e4 |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 380 W |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性： | BIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 0.25 W |
| 参考标准： | IEC-61000-4-2, IEC-61000-4-5 |
| 最大重复峰值反向电压： | 3.3 V |
| 最大反向电流： | 0.5 µA |
| 反向测试电压： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
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