芯片D44H8概述
芯片D44H8是一种广泛应用于电子电路中的功率晶体管,属于NPN型功率晶体管。它通常被用于音频功率放大器、电机驱动、开关电源等电路中,以实现信号的放大和功率的转换。D44H8的设计旨在处理较为高的电流和电压,使其能够在很多高功率应用中发挥重要作用。
芯片D44H8的详细参数
D44H8的主要特性参数包括:
1. 类型:NPN功率晶体管 2. 最大集电极电压 (Vce):60V 3. 最大集电极电流 (Ic):15A 4. 功率耗散 (Pd):65W(在适当散热条件下) 5. 直流增益 (hFE):100至400(在Ic = 4A时) 6. 工作频率 (fT):最大频率约为15MHz 7. 热阻 (θJC):约为1.5°C/W
这些参数使得D44H8在需要高功率驱动时表现出色,尤其在音频和电机控制领域。
芯片D44H8的厂家、包装、封装
D44H8的制造商主要为一些知名的半导体公司,例如ON Semiconductor、STMicroelectronics等。这些公司致力于提供高性能、高可靠性的功率晶体管,以满足不同应用领域的需求。
关于D44H8的封装类型,常用的封装形式为TO-220,这种封装能够有效散热,适合高功率应用。TO-220封装的设计使得D44H8能够在较高功率情况下运行,同时又保持良好的电子性能。
包装方面,D44H8通常会以单个芯片的形式出售,批量购买时可能会采用贴片或带状包装,以方便自动化生产线的使用。
芯片D44H8的引脚和电路图说明
D44H8的引脚排列极为重要,通常具有三个引脚,分别为基极(B)、集电极(C)和发射极(E)。引脚的排列如下:
1. 引脚1:发射极(E) 2. 引脚2:基极(B) 3. 引脚3:集电极(C)
在电路中,D44H8的基极用于控制晶体管的开关状态,集电极和发射极则用于通过负载传导电流。通过调整基极电流,可以有效控制集电极与发射极之间的电流流动,从而实现信号放大。
下图为D44H8的典型电路图示例:
+Vcc | | C ____ | | R1 | |---/\/\/--------- Load | | |__E | | | B | GND
图中,Vcc为电源电压,R1为限流电阻,Load为负载(例如扬声器或电机)。基极B的控制电流通过R1施加,调节该电流将改变集电极与发射极之间的电流,这一特性被广泛应用于各种电子电路中。
芯片D44H8的使用案例
D44H8在现实中有许多使用案例,特别是在音频放大器和电机控制电路中。以下是几个典型的应用实例:
1. 音频功率放大器:在低至中等功率的音频功率放大电路中,D44H8能够提供充足的输出功率,驱动大型扬声器。通常可以将一个D44H8作为推挽配置的一部分,与另一个功率晶体管(如D45H8)配合使用,形成一个完整的功率放大器。
2. 电机驱动电路:在直流电机驱动应用中,D44H8能够有效地控制电流,通过PWM(脉宽调制)信号调节电机的速度和方向。在这类应用中,D44H8的高集电极电流和高耐压特性使其成为一个理想的选择。
3. 开关电源:在开关电源设计中,D44H8可以作为开关元件,在高频条件下工作。它能够快速地进行开关,使得电源效率高。此外,由于其良好的热管理能力,适合用于各种电子设备。
4. 过载保护电路:D44H8也可以用于电流过载保护电路。在应用中,通过监测流过D44H8的电流,并在电流超出安全范围时触发保护闭合行为,能够有效保护后续电路不受损坏。
通过以上案例,D44H8在电子电路中忙碌而又多才多艺的应用得到充分体现。其高效的性能以及适中的成本让它在众多应用中成为安全、可靠的选择。
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型号: | D44H8 |
是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Transferred |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.81 |
Is Samacsys: | N |
最大集电极电流 (IC): | 8 A |
集电极-发射极最大电压: | 60 V |
配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 40 |
JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | NPN |
功耗环境最大值: | 60 W |
最大功率耗散 (Abs): | 50 W |
认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE |
晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 50 MHz |
VCEsat-Max: | 1 V |
Base Number Matches: | 1 |
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