D65946GN170应用文章市场行情现货热卖使用介绍供应商报价-中国IC网-芯三七

当前位置：IC37首页_>D字母起始型号索引_>D字母起始型号索引第230页更新时间：2024-11-10 16:30:15

批量询价
供应商
型号
数量
厂商
封装
批号
交易说明
询价

首天国际（深圳）科技有限公司
D65946GN170
数量-
厂家-
封装-
批号-
-
QQ：528164397 复制
QQ：1318502189 复制
0755-82807802/82807803

北京元坤伟业科技有限公司
D65946GN170
数量-
厂家-
封装-
批号-
-
QQ：857273081 复制
QQ：1594462451 复制
010-62104931、62106431、62104891、62104791

深圳市中利达电子科技有限公司
D65946GN170
数量-
厂家-
封装-
批号-
-
QQ：1902134819 复制
QQ：2881689472 复制
0755-13686833545

深圳市芯福林电子有限公司
D65946GN170
数量-
厂家-
封装-
批号-
-
QQ：2881495808 复制
QQ：308365177 复制
13418564337

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司
D65946GN170
数量-
厂家-
封装-
批号-
-
QQ：2881677436 复制
QQ：2881620402 复制
18922803401

深圳市华芯盛世科技有限公司
D65946GN170

数量865000
厂家NEC
封装QFP
批号最新批号
一级代理,原装特价现货！
QQ：2881475757 复制
0755-83225692

深圳市宏捷佳电子科技有限公司
D65946GN170

数量6500
厂家NEC
封装QFP
批号24+
全新原装★真实库存★含13点增值税票！
QQ：2885134615 复制
QQ：2353549508 复制
0755-83201583

HECC GROUP CO.，LIMITED
D65946GN170

数量689
厂家NEC
封装QFP
批号24+
假一罚万，全新原装库存现货，可长期订货
QQ：800888908 复制
755-83950019

深圳市楷兴电子科技有限公司
D65946GN170

数量10500
厂家NEC
封装QFP
批号21+
原装现货库存可出样品
QQ：2881475151 复制
0755-83016042

产品型号D659S14SEITE1BIS5的Datasheet PDF文件预览

Technische Information / Technical Information

Schnelle Gleichrichterdiode

Fast Diode

D 659 S 10...14

Elektrische Eigenschften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

T_vj= - 25°C...T_{vj max}

T_vj= + 25°C...T_{vj max}

Periodische Spitzensperrspannung

repetitive peak forward reverse voltage

V_RRM

1000

1200

1400

Stoßspitzensperrspannung

V_RSM

1100

1300

1500

non-repetitive peak reverse voltage

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

RMS forward current

I_FRMSM

1400

T_C=100°C

T_C=95°C

T_C=64°C

Dauergrenzstrom

I_FAVM

620

660

900

mean forward current

T_vj= 25°C, tp = 10 ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 10 ms

T_vj= 25°C, tp = 1 ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 1 ms

Stoßstrom-Grenzwert

surge foward current

I_FSM

12200

10100

25750

21300

T_vj= 25°C, tp = 10ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 10ms

T_vj= 25°C, tp = 1ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 1ms

Grenzlastintegral

I²t

744200 A²s

510050 A²s

331530 A²s

226850 A²s

I²t-value

Charakteristische Werte / Characteristic values

T_vj= T_{vj max}, i_F= 2700 A

Durchlaßspannung

forward voltage

v_F

max.

2,25

T_vj= T_{vj max}

Schleusenspannung

threshold voltage

V_(TO)

T_vj= T_{vj max}

Ersatzwiderstand

r_T

0,45

2,9

forward slope resistance

Typischer Wert der Durchlaßverzögerungsspannung

typical value of forward recovery voltage

IEC 747-2

V_FRM

typ

T_vj= T_{vj max}

di_F/dt=50A/µs, v_R=0V

µs

Durchlaßverzögerungszeit

forward recovery time

IEC 747-2, Methode / method II

T_vj= T_{vj max,}i_FM=2700A

t_fr

di_F/dt=50 A/µs, v_R=0V

T_vj= 25°C, v_R=V_RRM

Sperrstrom

i_R

max.

20 mA

T_vj= T_{vj max}, v_R= V_RRM

reverse current

200 mA

DIN IEC 747-2, T_vj=T_{vj max}

i_FM=900A,-di_F/dt=50A/µs

v_R=100V, v_RM<=200 V

Rückstromspitze

I_RM

peak reverse recovery current

µAs

285

DIN IEC 747-2, T_vj=T_{vj max}

i_FM=900 A,-di_F/dt=50A/µs

v_R=100V, v_RM<=200 V

Sperrverzögerungsladung

recovered charge

Q_r

t_rr

µs

DIN IEC 747-2, T_vj=T_{vj max}

i_FM=900A,-di_F/dt=50A/µs

v_R=100 V; v_RM<=200V

Sperrverzögerungszeit

reverse recovered time

4,5

µs/A ²⁾

T_vj= T_{vj max}

Sanftheit

Softness

i_FM=A,-di_F/dt=A/µs

v_R<=0,5 V_RRM, v_RM=0,8 V_RRM

1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)

2) Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)

SZ-M / 09.02.87

Seite/page 1

Technische Information / Technical Information

Schnelle Gleichrichterdiode

Fast Diode

D 659 S 10...14

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

Kühlfläche / cooling surface

R_thJC

beidseitig / two-sided, Q =180°sin

thermal resitance, junction to case

max. 0,048

max. 0,045

max. 0,085

max. 0,082

max. 0,103

max. 0,100

°C/W

beidseitig / two-sided, DC

Anode / anode, Q =180°sin

Anode / anode, DC

Kathode / cathode, Q =180°sin

Kathode / cathode, DC

Übergangs- Wärmewiderstand

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided

R_thCK

thermal resitance, case to heatsink

max. 0,005

max. 0,010

°C/W

einseitig / single-sided

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

max. junction temperature

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

150

-40...+150

°C

Betriebstemperatur

operating temperature

Lagertemperatur

storage temperature

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

case, see appendix

Seite 3

page 3

Si-Element mit Druckkontakt

Si-pellet with pressure contact

Durchmesser/diameter 30mm

Anpreßkraft

6...14,5

clamping force

Gewicht

weight

typ.

270

Kriechstrecke

creepage distance

Feuchteklasse

DIN 40040

f = 50Hz

humidity classification

Schwingfestigkeit

5x9,81

m/s²

vibration resistance

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt

in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but

promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.

SZ-M / 09.02.87

Seite/page 2

Technische Information / Technical Information

Schnelle Gleichrichterdiode

Fast Diode

D 659 S 10...14

SZ-M / 11.08.78

Seite/page 3

Technische Information / Technical Information

Schnelle Gleichrichterdiode

Fast Diode

D 659 S10...14

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z_thJCfür DC

Analytical ementes of transient thermal impedance Z_thJCfor DC

Kühlung

cooling

Pos.n

R_thn[°C/W]

beidseitig

two-sided

0,00108

0,0042

0,00596

0,0185

0,0183

0,147

0,01546

1,22

t [s]

0,000378

0,00189

R_thn[°C/W]

anodenseitig

anode-sided

0,00106

0,00407

0,00182

0,00519

0,0156

0,0167

0,121

0,00698

0,571

0,048

7,21

t [s]

0,000377

R_thn[°C/W]

kathodenseitig

cathode-sided

0,00109

0,00423

0,0019

0,00616

0,0192

0,0186

0,152

0,0134

2,54

0,05652

9,9

t [s]

0,000379

n _max

Analytische Funktion / analytical function : Z_thJC

= å R_thn( 1 - EXP ( - t / t_n))

n=1

SZ-M / 24.03.87

Seite/page 4

Technische Information / Technical Information

Schnelle Gleichrichterdiode

Fast Diode

D 659 S 10...14

4.000

3.800

3.600

3.400

3.200

3.000

2.800

2.600

2.400

2.200

2.000

1.800

1.600

1.400

1.200

1.000

800

600

400

200

0,5

1,5

2,5

v_F[V]

Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic i_F=f(v_F)

T_vj= T _{vj max}

SZ-M / 04.02.87

Seite/page 5

D65946GN170相关文章

配单直通车

首天国际（深圳）科技有限公司服务专线: 0755-82807802/82807803 在线联系:

QQ：528164397 复制

QQ：1318502189 复制

北京元坤伟业科技有限公司服务专线: 010-62104931621064316210489162104791 在线联系:

QQ：857273081 复制

QQ：1594462451 复制

深圳市中利达电子科技有限公司服务专线: 0755-13686833545 在线联系:

QQ：1902134819 复制

QQ：2881689472 复制

深圳市芯福林电子有限公司服务专线: 13418564337 在线联系:

QQ：2881495808 复制

QQ：308365177 复制

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司服务专线: 18922803401 在线联系:

QQ：2881677436 复制

QQ：2881620402 复制

D6596ICL409L140产品参数

型号:	D6596ICL409L140
生命周期：	Contact Manufacturer
IHS 制造商：	MAIDA DEVELOPMENT CO
Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8533.40.80.70
风险等级：	5.63
安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT
端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C
封装形状：	DISK PACKAGE
电阻：	4 Ω
电阻器类型：	NTC THERMISTOR
子类别：	Non-linear Resistors
表面贴装：	NO
端子形状：	WIRE
热敏电阻器应用：	OVERLOAD PROTECTION
Base Number Matches：	1

电子百科

产品导航

产品型号D659S14SEITE1BIS5的Datasheet PDF文件预览

D65946GN170相关产品

D65946GN170相关文章

IC37:专业IC行业平台