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产品型号D790A的Datasheet PDF文件预览

STD790A  
Medium current, high performance, low voltage PNP transistor  
Features  
Very low collector to emitter saturation voltage  
DC current gain, h > 100  
FE  
3 A continuous collector current  
40 V breakdown voltage V  
(BR)CER  
3
Surface mounting DPAK (TO-252) power  
package in tape and reel packing  
1
DPAK  
(TO-252)  
Applications  
Power management in portable equipment  
Voltage regulation in bias supply circuits  
Switching regulator in battery charger  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
applications  
Heavy load driver  
Description  
The device in manufactured in low voltage PNP  
planar technology by using a “Base Island” layout.  
The resulting transistor shows exceptional high  
gain performance coupled with very low  
saturation voltage.  
Table 1.  
Order code  
STD790AT4  
Device summary  
Marking  
Package  
DPAK  
Packaging  
D790A  
Tape and reel  
June 2008  
Rev 3  
1/9  
www.st.com  
9
Electrical ratings  
STD790A  
1
Electrical ratings  
Table 2.  
Symbol  
Absolute maximum rating  
Parameter  
Value  
Unit  
V
Collector-base voltage (I = 0)  
-40  
V
V
CBO  
E
V
Collector-emitter voltage (R = 47 )  
-40  
CER  
BE  
V
Collector-emitter voltage (I = 0)  
-30  
V
CEO  
B
V
Emitter-base voltage (I = 0)  
-5  
V
EBO  
C
I
Collector current  
-3  
-6  
A
C
I
Collector peak current (t < 5 ms)  
A
CM  
P
P
Total dissipation at T = 25 °C  
15  
W
°C  
°C  
tot  
c
T
Storage temperature  
-65 to 150  
150  
stg  
T
Max. operating junction temperature  
J
Table 3.  
Symbol  
Thermal data  
Parameter  
Value  
Unit  
R
Thermal resistance junction-case  
__max  
8.33  
°C/W  
thj-case  
2/9  
STD790A  
Electrical characteristics  
2
Electrical characteristics  
(T  
= 25 °C unless otherwise specified)  
case  
Table 4.  
Symbol  
Electrical characteristics  
Parameter  
Test conditions  
Min.  
Typ. Max. Unit  
V
V
= -30 V  
Collector cut-off current  
-10  
µA  
µA  
CB  
CB  
I
CBO  
EBO  
(I = 0)  
= -30 V; T = 100 °C  
-100  
E
C
Emitter cut-off current  
I
V
= -4 V  
-10  
µA  
V
EB  
(I = 0)  
C
Collector-emitter  
breakdown voltage  
(1)  
(1)  
I = -10 mA  
-30  
-40  
V
V
C
(BR)CEO  
(I = 0)  
B
Collector-emitter  
breakdown voltage  
I = -10 mA  
V
C
(BR)CER  
(R = 47 )  
BE  
Collector-base  
breakdown voltage  
V
V
I = -100 µA  
-40  
-5  
V
V
(BR)CBO  
C
(I = 0)  
E
Emitter-base breakdown  
I = -100 µA  
(BR)EBO  
E
voltage (I = 0)  
C
I = -0.5 A  
I = -5 mA  
-0.15  
-0.25  
-0.5  
V
V
V
V
(1)  
C
B
V
Collector-emitter  
saturation voltage  
CE(sat)  
I = -1.2 A  
I = -20 mA  
B
C
I = -2 A  
I = -20 mA  
B
C
-0.7  
I = -3 A  
I = -100 mA  
B
C
I = -3 A  
I = -100 mA  
C
B
-0.9  
-1  
V
V
V
T = 100 °C  
J
Base-emitter saturation  
voltage  
(1)  
(1)  
I = -1A  
I = -10 mA  
-0.8  
-0.8  
V
C
B
BE(sat)  
I = -1 A  
V
= -2 V  
Base-emitter on voltage  
-1  
V
C
CE  
BE(on)  
I = -10 mA  
V
V
V
V
V
= -2 V  
= -2 V  
= -2 V  
= -1 V  
= -1 V  
100  
100  
100  
100  
90  
200  
200  
400  
400  
C
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
I = -500 mA  
C
(1)  
I = -1 A  
DC current gain  
h
C
FE  
I = -2 A  
160  
130  
C
I = -3 A  
C
3/9  
Electrical characteristics  
STD790A  
Table 4.  
Symbol  
Electrical characteristics (continued)  
Parameter  
Test conditions  
Min.  
Typ. Max. Unit  
I = -50 mA  
V
= -5 V  
CE  
C
f
Transition frequency  
100  
MHz  
t
f = 50 MHz  
Resistive load  
Delay time  
Rise time  
t
I = -3 A  
V
= -20 V  
CC  
180  
160  
250  
80  
220  
210  
300  
100  
ns  
ns  
ns  
ns  
d
C
t
I
= -I = -60 mA  
B2  
r
B1  
t
Storage time  
Fall time  
see Figure 8  
s
t
f
1. Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5%  
2.1  
Electrical characteristics (curves)  
Figure 2.  
DC current gain  
Figure 3.  
DC current gain  
Figure 4.  
Collector-emitter saturation Figure 5.  
voltage  
Base-emitter saturation  
voltage  
4/9  
STD790A  
Electrical characteristics  
Figure 6.  
Switching time resistive load Figure 7.  
Switching time resistive load  
2.2  
Test circuit  
Figure 8.  
Resistive load switching test circuit  
1) Fast electronic switch  
2) Non-inductive resistor  
5/9  
Package mechanical data  
STD790A  
3
Package mechanical data  
In order to meet environmental requirements, ST offers these devices in ECOPACK®  
packages. These packages have a Lead-free second level interconnect. The category of  
second level interconnect is marked on the package and on the inner box label, in  
compliance with JEDEC Standard JESD97. The maximum ratings related to soldering  
conditions are also marked on the inner box label. ECOPACK is an ST trademark.  
ECOPACK specifications are available at: www.st.com  
6/9  
STD790A  
Package mechanical data  
TO-252 (DPAK) mechanical data  
mm.  
DIM.  
min.  
typ  
max.  
2.40  
1.10  
0.23  
0.90  
5.40  
0.60  
0.60  
6.20  
A
A1  
A2  
b
2.20  
0.90  
0.03  
0.64  
5.20  
0.45  
0.48  
6.00  
b4  
c
c2  
D
D1  
E
5.10  
6.40  
6.60  
E1  
e
4.70  
2.28  
e1  
H
4.40  
9.35  
1
4.60  
10.10  
L
L1  
L2  
L4  
R
2.80  
0.80  
0.60  
0 o  
1
0.20  
8 o  
V2  
0068772_G  
7/9  
Revision history  
STD790A  
4
Revision history  
Table 5.  
Date  
Document revision history  
Revision  
Changes  
24-Mar-2004  
27-Mar-2006  
25-Jun-2008  
1
2
3
Initial release.  
New template, new graphics  
Updated TO-252 mechanical data  
8/9  
STD790A  
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D798N产品参数
型号:D798N
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:EUPEC GMBH & CO KG
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.83
Is Samacsys:N
应用:POWER
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-XEDB-N2
最大非重复峰值正向电流:11800 A
元件数量:1
相数:1
端子数量:2
最大输出电流:1050 A
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:800 V
表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD
端子位置:END
Base Number Matches:1
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