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DA112S1产品参数
型号:DA112S1
Brand Name:STMicroelectronics
是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:STMICROELECTRONICS
零件包装代码:SOD
包装说明:R-PDSO-G8
针数:8
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:7.76
Samacsys Confidence:3
Samacsys Status:Released
2D Presentation:https://componentsearchengine.com/2D/0T/143308.3.1.png
Schematic Symbol:https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=143308
PCB Footprint:https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=143308
3D View:https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=143308
Samacsys PartID:143308
Samacsys Image:https://componentsearchengine.com/Images/9/DA112S1.jpg
Samacsys Thumbnail Image:https://componentsearchengine.com/Thumbnails/3/DA112S1.jpg
Samacsys Pin Count:8
Samacsys Part Category:Integrated Circuit
Samacsys Package Category:Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name:DA112S1
Samacsys Released Date:2015-04-16 09:48:08
Is Samacsys:N
其他特性:LOW CAPACITANCE
配置:COMPLEX
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
最大正向电压 (VF):1.2 V
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e4
湿度敏感等级:1
元件数量:12
端子数量:8
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.73 W
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:18 V
最大反向电流:2 µA
反向测试电压:15 V
子类别:Other Diodes
表面贴装:YES
技术:AVALANCHE
端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1
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